快科技7月4日消息，2023年末，光刻機巨頭ASML向Intel交付首套高數值孔徑High-NA EUV光刻機，型號為 TWINSCAN EXE：5000。
當時業界普遍認為，High-NA EUV將對先進晶片開發和下代處理器生產發揮關鍵作用。
但時至今日，各大晶圓代工廠都在減少依賴High-NA EUV，延後導入時間。 特別是Intel董事發言，讓市場對High-NA EUV光刻機的前景產生更多疑問。
據不願意透露姓名的Intel董事說法，新電晶體設計如GAAFET和CFET，降低晶片製造對先進光刻設備（尤其是EUV光刻機）的依賴。
這些設計是從四面包裹柵極，更偏用蝕刻去除多餘材料，而不是增加晶圓曝光時間以縮小電路尺寸。 晶片生產時橫向重要性日益增加，High-NA EUV 重要性就沒那麼重要了。
該董事認為，像環繞柵極場效應電晶體（GAAFET）和互補場效應電晶體（CFET）這樣的新型設計，將顯著增加光刻之後製造步驟（特別是刻蝕技術）的重要性，從而削弱光刻在整體工藝中的主導地位。
一般來說，晶片製造流程始於光刻，先將設計圖案轉移到晶圓表面。隨後通過沉積添加材料，並通過刻蝕選擇性地去除材料，最終形成電晶體和電路結構。
該董事指出，未來的重點可能從單純依賴光刻機縮小特徵尺寸，轉向更複雜、更關鍵的刻蝕工藝，以確保這些新型三維電晶體結構的精確成型。這預示著晶片製造技術路線可能迎來重大轉變。
事實上，前不久台積電也表達過類似的觀點。1.4nm級工藝技術不需要High-NA EUV光刻機，目前找不到非用不可的理由。
「對於A14來說，我之前提到的性能提升在不使用高數值孔徑的情況下也非常顯著。因此，我們的技術團隊正在持續尋找延長現有EUV壽命的方法。」
據了解，ASML最新一代的高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機是目前世界上最先進光刻機，單價高達4億美元，如此高昂的價格讓很多廠商望而卻步。
截止目前，ASML已向客戶交付總共5台，包括Intel、三星。 其重達180噸、體積如同雙層巴士，堪稱全球最昂貴的半導體製造設備之一。
