三星NAND閃存新突破！功耗狂降達 96%

11月27日消息，據媒體報道，當地時間27日，三星電子旗下SAIT（原三星先進技術研究院）宣布，已在《自然》上發表一項關於新型NAND Flash結構的研究成果。

據這篇名為《用於低功耗NAND閃存的鐵電電晶體》的論文介紹，該研究通過創新融合鐵電材料與氧化物半導體，全球首次明確了可將NAND閃存功耗較現有技術降低 96% 的核心機制。

值得一提的是，這項新研究有望提升包括人工智慧數據中心和移動設備在內的各個領域的能效。

據了解，NAND閃存是一種非易失性存儲介質，即使斷電亦可長期保存大量數據，其工作原理是通過向存儲單元注入電子實現數據寫入。

為提升存儲密度，業界普遍採用堆疊更多存儲層的方式構建晶片，但這同時也顯著增加了數據讀寫過程中的能耗，尤其在大規模數據中心場景中，功耗問題已成為亟待解決的關鍵瓶頸。

而三星研究團隊上述成果攻克了這一難題。